- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录22159 > IDT7164S20YI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7164S20YI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7164S20YI8 |
IDT7164S/L
CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)
DC Electrical Characteristics
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
(V CC = 5.0V ± 10%)
IDT7164S
IDT7164L
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
|I LI |
|I LO |
V OL
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
V CC = Max.,
V IN = GND to V CC
V CC = Max., CS 1 = V IH ,
V OUT = GND to V CC
I OL = 8mA, V CC = Min.
MIL.
COM'L. & IND
MIL.
COM'L. & IND
____
____
____
____
____
10
5
10
5
0.4
____
____
____
____
____
5
2
5
2
0.4
μA
μA
V
I OL = 10mA, V CC = Min.
____
0.5
____
0.5
V OH
Output High Voltage
I OH = -4mA, V CC = Min.
2.4
____
2.4
____
V
2967 tbl 09
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only) (V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V)
Typ. (1)
V CC @
Max.
V CC @
Symbol
V DR
I CCDR
t CDR (3)
t R (3)
I I LI I (3)
Parameter
V CC for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
Input Leakage Current
Test Condition
____
MIL.
COM'L. & IND
1. CS 1 > V HC
CS 2 > V HC , or
2. CS 2 < V LC
Min.
2.0
____
____
0
t RC (2)
____
2.0V
____
10
10
____
____
____
3.0V
____
15
15
____
____
____
2.0V
____
200
60
____
____
2
3.0V
____
300
90
____
____
2
Unit
V
μ A
ns
ns
μ A
NOTES:
1. T A = +25°C.
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
AC Test Conditions
2967 tbl 10
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
See Figures 1 and 2
2967 tbl 11
DATA OUT
5V
480 ?
DATA OUT
5V
480 ?
255 ?
30pF*
,
255 ?
5pF*
,
2967 drw 04
2967 drw 03
Figure 1. AC Test Load
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ1, t CLZ2 , t OLZ , t CHZ1, t CHZ2 , t OHZ , t OW , and t WHZ )
*Includes scope and jig capacitances
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AD7741BR-REEL7 | IC CONVERTER V TO FREQ 8-SOIC |
| IDT7164S20YI | IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ |
| AD7741YR-REEL | IC CONVERTER V TO FREQ 8-SOIC |
| IDT7164S20Y8 | IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ |
| AD7741BR-REEL | IC CONVERTER V TO FREQ 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7164S25DB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 64KBIT 25NS 28CDIP |
| IDT7164S25TDB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 64KBIT 25NS 28CDIP |
| IDT7164S25TPG | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 25NS 28DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT7164S25YG | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT7164S25YG8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。