参数资料
型号: IDT71T75602S100BGG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 22/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA
标准包装: 84
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步 ZBT
存储容量: 18M(512K x 36)
速度: 100MHz
接口: 并联
电源电压: 2.375 V ~ 2.625 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 119-BGA
供应商设备封装: 119-PBGA(14x22)
包装: 托盘
其它名称: 71T75602S100BGG
IDT71T75602, IDT71T75802, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of OE Operation (1)
OE
t OE
DATA OUT
t OHZ
t OLZ
Valid
5313 drw 11
NOTE:
1. A read operation is assumed to be in progress.
Ordering Information
XXXX
S
XX
XX
X
X
Device
Type
Power Speed
Package
Tube or Tray
Blank
Tape and Reel
8
Commercial (0°C to +70°C)
Blank
Industrial (-40°C to +85°C)
I
PF
100-Pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
PFG
TQFP - Green
BG
119 Ball Grid Array (BGA)
BGG
BGA - Green
*200
166
Clock Frequency in Megahertz
150
133
100
71T75602
512Kx36 Pipelined ZBT SRAM
71T75802
1Mx18 Pipelined ZBT SRAM
5313 drw 12
* 200MHz available Only for IDT71T75802
6.42
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IDT71T75602S100BG IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA
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参数描述
IDT71T75602S100BGG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT71T75602S100BGGI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT71T75602S100BGGI8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT71T75602S100BGI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
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