- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20291 > IDT71T75602S200PF8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71T75602S200PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 31/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71T75602S200PF8 |
IDT71T75602, IDT71T75802, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram
LBO
512Kx36 BIT
MEMORY ARRAY
Address A [0:18]
D
Q
Address
CE 1, CE2, CE 2
R/ W
D
Q
Control
CEN
ADV/ LD
BW x
DI
DO
Clock
OE
D
Clk
Q
Control Logic
Gate
Mux
Sel
D
Output Register
Q
5313 drw 01
TMS
TDI
TCK
JTAG
TDO
Data I/O [0:31],
I/O P[1:4]
TRST
(optional)
LBO
1Mx18 BIT
MEMORY ARRAY
Address A [0:19]
D
Q
Address
CE 1, CE2, CE 2
R/ W
D
Q
Control
CEN
ADV/ LD
BW x
DI
DO
Clock
OE
D
Clk
Q
Control Logic
Gate
Mux
Sel
D
Output Register
Q
5313 drw 01b
TMS
TDI
TCK
JTAG
TDO
Data I/O [0:15],
I/O P[1:2]
TRST
(optional)
3
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-J5V-CX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W |
| VI-J4W-CX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W |
| CENB1020A2403B01 | PS EXT 18W @.75A WALLPLUG E-STAR |
| IDT71T75602S200PF | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP |
| GMC08DRTN | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71T75602S200PFG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75602S200PFG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75602S200PFGI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75602S200PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75602S200PFI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。