- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20290 > IDT71T75602S200PFGI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71T75602S200PFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 31/Jan/2010 |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71T75602S200PFGI |
IDT71T75602, IDT71T75802, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
Temperature Ranges)
(V DD = 2.5V +/-5%, Commercial and Industrial
200MHz
166MHz
150MHz
133MHz
100MHz
Symbol
t CYC
t F (1)
t CH (2)
t CL (2)
Parameter
Clock Cycle Time
Clock Frequency
Clock High Pulse Width
Clock Low Pulse Width
Min.
5
____
1.8
1.8
Max.
____
200
____
____
Min.
6
____
1.8
1.8
Max.
____
166
____
____
Min.
6.7
____
2.0
2.0
Max.
____
150
____
____
Min.
7.5
____
2.2
2.2
Max.
____
133
____
____
Min.
10
____
3.2
3.2
Max.
____
100
____
____
Unit
ns
MHz
ns
ns
Output Parameters
t CD
t CDC
t CLZ (3,4,5)
t CHZ (3,4,5)
t OE
t OLZ (3,4)
t OHZ (3,4)
Clock High to Valid Data
Clock High to Data Change
Clock High to Output Active
Clock High to Data High-Z
Output Enable Access Time
Output Enable Low to Data Active
Output Enable High to Data High-Z
____
1.0
1.0
1.0
____
0
____
3.2
____
____
3
3.2
____
3.2
____
1.0
1.0
1.0
____
0
____
3.5
____
____
3
3.5
____
3.5
____
1.5
1.5
1.5
____
0
____
3.8
____
____
3
3.8
____
3.8
____
1.5
1.5
1.5
____
0
____
4.2
____
____
3
4.2
____
4.2
____
1.5
1.5
1.5
____
0
____
5
____
____
3.3
5
____
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Set Up Times
t SE
t SA
t SD
t SW
t SADV
t SC
t SB
Clock Enable Setup Time
Address Setup Time
Data In Setup Time
Read/Write (R/ W ) Setup Time
Advance/Load (ADV/ LD ) Setup Time
Chip Enable/Select Setup Time
Byte Write Enable ( BW x) Setup Time
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
____
____
____
____
____
____
____
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
____
____
____
____
____
____
____
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
____
____
____
____
____
____
____
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
____
____
____
____
____
____
____
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Hold Times
t HE
t HA
t HD
t HW
t HADV
t HC
t HB
Clock Enable Hold Time
Address Hold Time
Data In Hold Time
Read/Write (R/ W ) Hold Time
Advance/Load (ADV/ LD ) Hold Time
Chip Enable/Select Hold Time
Byte Write Enable ( BW x) Hold Time
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
____
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
5313 tbl 24
1. tF = 1/t CYC .
2. Measured as HIGH above 0.6V DDQ and LOW below 0.4V DDQ .
3. Transition is measured ±200mV from steady-state.
4. These parameters are guaranteed with the AC load (Figure 1) by device characterization. They are not production tested.
5. To avoid bus contention, the output buffers are designed such that t CHZ (device turn-off) is faster than t CLZ (device turn-on) at a given temperature and voltage. The specs
as shown do not imply bus contention because t CLZ is a Min. parameter that is worse case at totally different test conditions (0 deg. C, 2.625V) than t CHZ , which is a Max.
parameter (worse case at 70 deg. C, 2.375V).
14
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71T75602S200PFG8 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP |
| SDM10P45-7 | DIODE SCHOTTKY 45V 120MW SOT-523 |
| CENB1020A0503B01 | PS EXT 15W @ 3A WALLPLUG E-STAR |
| VI-J5W-CX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W |
| GSC08DRTN | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71T75602S200PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75602S200PFI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75602S200PFI8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75702S75BG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75702S75BG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。