参数资料
型号: IDT71T75602S200PFI8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP
产品变化通告: Product Discontinuation 31/Jan/2010
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步 ZBT
存储容量: 18M(512K x 36)
速度: 200MHz
接口: 并联
电源电压: 2.375 V ~ 2.625 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 71T75602S200PFI8
IDT71T75602, IDT71T75802, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Device Operation - Showing Mixed Load, Burst,
Deselect and NOOP Cycles (2)
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
n+9
n+10
n+11
n+12
n+13
n+14
n+15
n+16
n+17
n+18
n+19
Address
A 0
X
A 1
X
X
A 2
X
X
A 3
X
A 4
X
X
A 5
A 6
A 7
X
A 8
X
A 9
R/ W
H
X
H
X
X
H
X
X
L
X
L
X
X
L
H
L
X
H
X
L
ADV/ LD
L
H
L
L
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
L
CE (1)
L
X
L
H
X
L
X
H
L
X
L
H
X
L
L
L
X
L
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
X
X
L
X
L
L
X
X
L
OE
X
X
L
L
L
X
X
L
L
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
L
I/O
X
X
Q 0
Q 0+1
Q 1
Z
Z
Q 2
Q 2+1
Z
D 3
D 3+1
D 4
Z
Z
D 5
Q 6
D 7
D 7+1
Q 8
Comments
Load read
Burst read
Load read
Deselect or STOP
NOOP
Load read
Burst read
Deselect or STOP
Load write
Burst write
Load write
Deselect or STOP
NOOP
Load write
Load read
Load write
Burst write
Load read
Burst read
Load write
NOTES:
1. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
2. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
Read Operation (1)
5313 tbl 12
Cycle
n
n+1
n+2
Address
A 0
X
X
R/ W
H
X
X
ADV/ LD
L
X
X
CE (2)
L
X
X
CEN
L
L
X
BW x
X
X
X
OE
X
X
L
I/O
X
X
Q 0
Comments
Address and Control meet setup
Clock Setup Valid
Contents of Address A 0 Read Out
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
9
6.42
5313 tbl 13
相关PDF资料
PDF描述
MW172KB0903F01 PWR SPLY EXT MED 18W 9V @ 2.00A
IDT71T75602S200PFI IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP
GBC18DRXI CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD
MW170KB0503B01 PWR SPLY EXT MED 10W 5V @ 2.00A
VI-J5W-CX-F3 CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71T75702S75BG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75702S75BG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75702S75BGI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75702S75BGI8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75702S75PF 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI