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参数资料
| 型号： | IDT71T75702S80BGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 80NS 119BGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71T75702S80BGI8 |
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram ? 512K x 36
LBO
512K x 36 BIT
Address A [0:18]
D
Q
MEMORY ARRAY
Address
CE 1 , CE 2 CE 2
R/ W
D
Q
Control
CEN
ADV/ LD
BW x
DI
DO
D
Clk
Q
Control Logic
Clock
OE
Gate
Mux
Sel
TMS
TDI
TCK
JTAG
TDO
Data I/O [0:31], I/O P[1:4]
5319 drw 01
,
TRST
(optional)
3
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMC10DRAN | CONN EDGECARD 20POS R/A .100 SLD |
| TAC826K010P07 | CAP TANT 82UF 10V 10% AXIAL |
| MC79L05ACPRPG | IC REG LDO -5V .1A TO-92 |
| TAC226K035P07 | CAP TANT 22UF 35V 10% AXIAL |
| IDT71T75702S80BGI | IC SRAM 18MBIT 80NS 119BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71T75702S80PF | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75702S80PF8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75702S80PFG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 80NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75702S80PFG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 80NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75702S80PFGI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 80NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
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