- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4046 > IDT71T75802S166PFG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 18MBIT 166MHZ 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71T75802S166PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 18M（1M x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71T75802S166PFG |
IDT71T75602, IDT71T75802, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Device Operation - Showing Mixed Load, Burst,
Deselect and NOOP Cycles (2)
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
n+9
n+10
n+11
n+12
n+13
n+14
n+15
n+16
n+17
n+18
n+19
Address
A 0
X
A 1
X
X
A 2
X
X
A 3
X
A 4
X
X
A 5
A 6
A 7
X
A 8
X
A 9
R/ W
H
X
H
X
X
H
X
X
L
X
L
X
X
L
H
L
X
H
X
L
ADV/ LD
L
H
L
L
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
L
CE (1)
L
X
L
H
X
L
X
H
L
X
L
H
X
L
L
L
X
L
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
X
X
L
X
L
L
X
X
L
OE
X
X
L
L
L
X
X
L
L
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
L
I/O
X
X
Q 0
Q 0+1
Q 1
Z
Z
Q 2
Q 2+1
Z
D 3
D 3+1
D 4
Z
Z
D 5
Q 6
D 7
D 7+1
Q 8
Comments
Load read
Burst read
Load read
Deselect or STOP
NOOP
Load read
Burst read
Deselect or STOP
Load write
Burst write
Load write
Deselect or STOP
NOOP
Load write
Load read
Load write
Burst write
Load read
Burst read
Load write
NOTES:
1. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
2. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
Read Operation (1)
5313 tbl 12
Cycle
n
n+1
n+2
Address
A 0
X
X
R/ W
H
X
X
ADV/ LD
L
X
X
CE (2)
L
X
X
CEN
L
L
X
BW x
X
X
X
OE
X
X
L
I/O
X
X
Q 0
Comments
Address and Control meet setup
Clock Setup Valid
Contents of Address A 0 Read Out
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
9
6.42
5313 tbl 13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 65801-017LF | CONN RCPT 17POS 2.54MM VERT TIN |
| 65801-017 | CLINCHER RECEPTACLE ASSY TIN |
| XC4036XL-3HQ160I | IC FPGA I-TEMP 3.3V 3SPD 160HQFP |
| IDT7006L15PF8 | IC SRAM 128KBIT 15NS 64TQFP |
| MT42L64M64D2MP-25 IT:A | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 220FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71T75802S166PFG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71T75802S166PFGI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT71T75802S166PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT71T75802S166PFI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75802S166PFI8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。