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参数资料
| 型号： | IDT71T75902S75BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 18M（1M x 18） |
| 速度： | 75ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71T75902S75BG8 |
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 2.5V±5%)
Symbol
|I LI |
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
LBO , JTAG and ZZ Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V CC
I OL = +6mA, V DD = Min.
I OH = -6mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.0
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
5319 tbl 21
1. The LBO, TMS, TDI, TCK and TRST pins will be internally pulled to V DD and the ZZ pin will be internally pulled to V SS if they are not actively driven in the application.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 2.5V±5%)
7.5n s
8ns
8.5n s
S ym b ol
P aram eter
Test Co nd itio ns
Unit
Co m 'l
Ind
Co m 'l
Ind
Co m 'l
Ind
O p e rating P o we r
De v ic e S e le c te d , O utp uts O p e n,
I DD
S up p ly Cu rre nt
A DV / LD = X, V DD = M ax .,
V IN > V IH o r < V IL , f = f MA X (2)
275
295
250
270
225
245
mA
CM O S S tand b y P o we r
De v ic e De s e le c te d , O utp uts O p e n ,
I S B 1
S up p ly Cu rre nt
V DD = M a x ., V IN > V HD o r < V LD ,
40
60
40
60
40
60
mA
f = 0 (2,3)
Clo c k Running P o we r
De v ic e De s e le c te d , O utp uts O p e n ,
I S B 2
S up p ly Cu rre nt
V DD = M a x ., V IN > V HD o r < V LD ,
105
125
100
120
95
115
mA
f = f MA X (2,3)
Id le P o we r
De v ic e S e le c te d , O utp uts O p e n,
I S B 3
S up p ly Cu rre nt
CEN > V IH , V DD = M ax .,
V IN > V HD o r < V LD , f = f MA X (2,3)
60
80
60
80
60
80
mA
Fu ll S le e p M o d e
De v ic e S e le c te d , O utp uts O p e n,
I ZZ
S up p ly Cu rre nt
CEN < V IH , V DD = M ax ., ZZ > V HD
V IN > V HD o r < V LD , f = f MA X (2,3)
40
60
40
60
40
60
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC ; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ – 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD – 0.2V, V LD = 0.2V.
5319 tb l 2 2
AC Test Load
V DDQ /2
50 ?
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
0 to 2.5V
6
I/O
Z 0 = 50 ?
Figure 1. AC Test Load
5319 drw 04
,
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
2ns
(V DDQ/2 )
(V DDQ/2 )
5
4
?
Output Load
Figure 1
5319 tbl 23
? t CD
3
(Typical, ns)
2
1
?
?
? ?
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
5319 drw 05
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
14
6.42
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