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参数资料
| 型号： | IDT71T75902S75PFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 18M（1M x 18） |
| 速度： | 75ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71T75902S75PFI8 |
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Read Operation (1)
Cycle
n
n+1
Address
A 0
X
R/ W
H
X
ADV/ LD
L
X
CE 1 (2)
L
X
CEN
L
X
BW x
X
X
OE
X
L
I/O
X
Q 0
Comments
Address and Control meet setup
Contents of Address A 0 Read Out
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
Burst Read Operation (1)
5319 tbl 13
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
Address
A 0
X
X
X
X
A 1
X
A 2
R/ W
H
X
X
X
X
H
X
H
ADV/ LD
L
H
H
H
H
L
H
L
CE 1 (2)
L
X
X
X
X
L
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
X
X
X
X
X
X
OE
X
L
L
L
L
L
L
L
I/O
X
Q 0
Q 0+1
Q 0+2
Q 0+3
Q 0
Q 1
Q 1+1
Comments
Address and Control meet setup
Address A 0 Read Out, Inc. Count
Address A 0+1 Read Out, Inc. Count
Address A 0+2 Read Out, Inc. Count
Address A 0+3 Read Out, Load A 1
Address A 0 Read Out, Inc. Count
Address A 1 Read Out, Inc. Count
Address A 1+1 Read Out, Load A 2
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
Write Operation (1)
5319 tbl 14
Cycle
n
n+1
Address
A 0
X
R/ W
L
X
ADV/ LD
L
X
CE 1 (2)
L
X
CEN
L
L
BW x
L
X
OE
X
X
I/O
X
D 0
Comments
Address and Control meet setup
Write to Address A 0
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
Burst Write Operation (1)
5319 tbl 15
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
Address
A 0
X
X
X
X
A 1
X
A 2
R/ W
L
X
X
X
X
L
X
L
ADV/ LD
L
H
H
H
H
L
H
L
CE 1 (2)
L
X
X
X
X
L
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
X
X
X
X
X
X
I/O
X
D 0
D 0+1
D 0+2
D 0+3
D 0
D 1
D 1+1
Comments
Address and Control meet setup
Address A 0 Write, Inc. Count
Address A 0+1 Write, Inc. Count
Address A 0+2 Write, Inc. Count
Address A 0+3 Write, Load A 1
Address A 0 Write, Inc. Count
Address A 1 Write, Inc. Count
Address A 1+1 Write, Load A 2
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
11
6.42
5319 tbl 16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IDT71T75902S75PFI | IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP |
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| V300A8C300BL3 | CONVERTER MOD DC/DC 8V 300W |
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参数描述 |
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