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参数资料
| 型号： | IDT71V124SA12TYG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ |
| 标准包装： | 23 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 32-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71V124SA12TYG IDT71V124SA12TYG-ND |
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V DD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
71V124SA10
71V124SA12
71V124SA15
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t OLZ
t RC
t AA
t ACS
t CLZ (1)
t CHZ (1)
t OE
(1)
t OHZ (1)
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select to Output in Low-Z
Chip Deselect to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
Output Enable to Output in Low-Z
Output Disable to Output in High-Z
Output Hold from Address Change
10
____
____
4
0
____
0
0
4
____
10
10
____
5
5
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5
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12
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4
0
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0
0
4
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12
12
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6
6
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5
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4
0
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0
0
4
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15
15
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7
7
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5
____
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ns
WRITE CYCLE
t WC
t AW
t CW
t AS
t WP
t WR
t DW
t DH
t OW (2)
t WHZ (2)
Write Cycle Time
Address Valid to End-of-Write
Chip Select to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Data Hold Time
Output Active from End-of-Write
Write Enable to Output in High-Z
10
7
7
0
7
0
5
0
3
0
____
____
____
____
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____
____
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5
12
8
8
0
8
0
6
0
3
0
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5
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10
10
0
10
0
7
0
3
0
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5
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ns
ns
NOTES:
1. This parameter guaranteed with the AC load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
4
3873 tbl 08
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PDF描述 |
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