参数资料
型号: IDT71V124SA12YG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ
标准包装: 23
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 1M (128K x 8)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 32-BSOJ
供应商设备封装: 32-SOJ
包装: 管件
产品目录页面: 1255 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 71V124SA12YG
800-1459
800-1459-5
800-1459-ND
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
Timing Waveform of Read Cycle No. 1 (1)
t RC
ADDRESS
t AA
OE
t OE
Commercial and Industrial Temperature Ranges
CS
t OLZ (5)
t CLZ
(5)
t ACS (3)
t CHZ (5)
t OHZ (5)
DATA OUT
HIGH IMPEDANCE
DATA OUT VALID
.
3873 drw 05
Timing Waveform of Read Cycle No. 2 (1, 2, 4)
t RC
ADDRESS
t AA
t OH
t OH
DATA OUT
PREVIOUS DATA OUT VALID
DATA OUT VALID
3873 drw 06
.
NOTES:
1. WE is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected, CS is LOW.
3. Address must be valid prior to or coincident with the later of CS transition LOW; otherwise t AA is the limiting parameter.
4. OE is LOW.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
5
6.42
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