- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20243 > IDT71V256SA15Y8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V256SA15Y8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V256SA15Y8 |
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Recommended DC Operating
Conditions
Commercial and Industrial Temperature Ranges
-0.3
Symbol
V CC
GND
V IH
V IH
V IL
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage - Inputs
Input High Voltage - I/O
Input Low Voltage
Min.
3.0
0
2.0
2.0
(1)
Typ.
3.3
0
____
____
____
Max.
3.6
0
V CC +0.3
V CC +0.3
0.8
Unit
V
V
V
V
V
NOTE:
1. V IL (min.) = –2.0V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
3101 tbl 06
DC Electrical Characteristics (1)
(V CC = 3.3V ± 0.3V, V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V, Commercial and Industrial Temperature
Ranges)
Symbol Parameter 71V256SA10 71V256SA12 71V256SA15 71V256SA20
Unit
I CC
I SB
I SB1
Dynamic Operating Current CS < V IL , Outputs
Open, V CC = Max., f = f MAX (2)
Standby Power Supply Current (TTL Level)
CS = V IH , V CC = Max., Outputs Open, f = f MAX (2)
Full Standby Power Supply Current (CMOS Level)
CS > V HC , V CC = Max., Outputs Open, f = 0 (2) ,
V IN < V LC or V IN > V HC
100
20
2
90
20
2
85
20
2
85
20
2
mA
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. f MAX = 1/t RC , only address inputs cycling at f MAX ; f = 0 means that no inputs are cycling.
DC Electrical Characteristics
(V CC = 3.3V± 0.3V)
IDT71V256SA
3101 tbl 07
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = Max., V IN = GND to V CC
V CC = Max., CS = V IH , V OUT = GND to V CC
I OL = 8mA, V CC = Min.
I OH = -4mA, V CC = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Typ.
___
___
___
___
Max.
2
2
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
3101 tbl 08
3
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-21D-EV-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 85V 150W |
| VE-233-CW | CONVERTER MOD DC/DC 24V 100W |
| R0.25S12-1212/H | CONV DC/DC 0.25W 12V IN 12V OUT |
| VI-B3Z-CU | CONVERTER MOD DC/DC 2V 80W |
| IDT71V256SA15Y | IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V256SA15YG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V256SA15YG8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| IDT71V256SA15YGI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V256SA15YGI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| IDT71V256SA15YI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。