- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20235 > IDT71V25761YSA166BQ8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V25761YSA166BQ8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 17/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V25761YSA166BQ8 |
IDT71V25761 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Non-Burst Read Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
ADSC
Commercial and Industrial Temperature Ranges
ADDRESS
Av
Aw
Ax
Ay
Az
GW , BWE , BW x
CE , CS 1
CS 0
OE
DATA OUT
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
,
NOTES:
1. ZZ input is LOW, ADV is HIGH and LBO is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. For read cycles, ADSP and ADSC function identically and are therefore interchangable.
Non-Burst Write Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
ADSC
5297 drw 14
ADDRESS
Av
Aw
Ax
Ay
Az
GW
CE , CS 1
CS 0
DATA IN
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
(Az)
,
NOTES:
1. ZZ input is LOW, ADV and OE are HIGH, and LBO is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. Although only GW writes are shown, the functionality of BWE and BW x together is the same as GW .
4. For write cycles, ADSP and ADSC have different limitations.
17
6.42
5297 drw 15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95R687K6R3LZAL | CAP TANT 680UF 6.3V 10% 2824 |
| MLF1608C220K | INDUCTOR MULTILAYER 22UH 0603 |
| MAX6956AAX+ | IC DRVR DSPL LED 36-SSOP |
| ABM28DTMN | CONN EDGECARD 56POS R/A .156 SLD |
| T95R337M016LZAL | CAP TANT 330UF 16V 20% 2824 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V25761YSA166BQGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V25761YSA166BQI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V25761YSA166BQI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V25761YSA183BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V25761YSA183BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。