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参数资料
| 型号： | IDT71V30S35TF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP |
| 标准包装： | 1,250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V30S35TF8 |
IDT71V30S/L
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (4,5)
71V30X25
Com'l Only
71V30X35
Com'l & Ind
71V30X55
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
t EW
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
t HZ
Write Cycle Time
Chip Enable to End-of-Write
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Output High-Z Time (1,2)
25
20
20
0
20
0
12
____
____
____
____
____
____
____
____
12
35
30
30
0
30
0
20
____
____
____
____
____
____
____
____
15
55
40
40
0
40
0
20
____
____
____
____
____
____
____
____
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t DH
Data Hold Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
Write Enable to Output in High-Z
t WZ
(1,2)
____
15
____
15
____
30
ns
t OW
Output Active from End-of-Write
(1,2,3)
0
____
0
____
0
____
ns
3741 tbl 10
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low- or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the SRAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over voltage and
temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
5. Industrial temperatures: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
7
6.42
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