- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4106 > IDT71V321L25PFI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 16KBIT 25NS 64TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V321L25PFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 25NS 64TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V321L25PFI8 |
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle No. 1, Either Side (1)
t RC
ADDRESS
t OH
t AA
t OH
DATA OUT
BUSY OUT
PREVIOUS DATA VALID
t BDD (2,3)
DATA VALID
3026 drw 06
NOTES:
1. R/ W = V IH , CE = V IL , and is OE = V IL . Address is valid prior to the coincidental with CE transition LOW.
2. t BDD delay is required only in the case where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY has no relationship to valid output data.
3. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA , and t BDD .
Timing Waveform of Read Cycle No. 2, Either Side (3)
t ACE
CE
OE
t AOE
(4)
t HZ (2)
DATA OUT
t LZ (1)
VALID DATA
t HZ
(2)
I CC
t PU
t LZ
(1)
t PD
(4)
CURRENT
50%
50%
I SS
3026 drw 07
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first, OE or CE .
3. R/ W = V IH and the address is valid prior to or coincidental with CE transition LOW.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA , and t BDD .
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V321L25PFGI8 | IC SRAM 16KBIT 25NS 64TQFP |
| MPC885VR66 | IC MPU POWERQUICC 66MHZ 357PBGA |
| IDT7143SA35PF8 | IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP |
| IDT7133SA35PF8 | IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP |
| IDT71V30L25TFG | IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V321L25TF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V321L25TF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V321L25TFG | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V321L25TFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 64TQFP |
| IDT71V321L25TFGI | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。