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参数资料
| 型号： | IDT71V321S35TF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 35NS 64STQFP |
| 标准包装： | 1,250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V321S35TF8 |
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle No. 1, Either Side (1)
t RC
ADDRESS
t OH
t AA
t OH
DATA OUT
BUSY OUT
PREVIOUS DATA VALID
t BDD (2,3)
DATA VALID
3026 drw 06
NOTES:
1. R/ W = V IH , CE = V IL , and is OE = V IL . Address is valid prior to the coincidental with CE transition LOW.
2. t BDD delay is required only in the case where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY has no relationship to valid output data.
3. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA , and t BDD .
Timing Waveform of Read Cycle No. 2, Either Side (3)
t ACE
CE
OE
t AOE
(4)
t HZ (2)
DATA OUT
t LZ (1)
VALID DATA
t HZ
(2)
I CC
t PU
t LZ
(1)
t PD
(4)
CURRENT
50%
50%
I SS
3026 drw 07
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first, OE or CE .
3. R/ W = V IH and the address is valid prior to or coincidental with CE transition LOW.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA , and t BDD .
6.42
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参数描述 |
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