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参数资料
| 型号： | IDT71V321S35TF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 35NS 64STQFP |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V321S35TF |
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
AC Test Conditions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Waveform
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
GND to 3.0V
5ns
DATA RETENTION MODE
Input Timing Reference Levels
1.5V
V CC
3.0V
V DR ≥ 2.0V
3.0V
Output Reference Levels
Output Load
1.5V
Figures 1 and 2
3026 tbl 08
CE
t CDR
V IH
V DR
t R
V IH
3026 drw 04
,
3.3V
590 ?
3.3V
590 ?
435 ?
DATA OUT
BUSY
INT
30pF
DATA OUT
435 ?
5pF
3026 drw 05
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t HZ , t LZ , t WZ , and t OW )
* Including scope and jig.
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature Supply Voltage Range (2)
71V321X25
71V421X25
Com'l & Ind
71V321X35
71V421X35
Com'l & Ind
71V321X55
71V421X55
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t AOE
t OH
t LZ
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
25
____
____
____
3
0
____
25
25
12
____
____
35
____
____
____
3
0
____
35
35
20
____
____
55
____
____
____
3
0
____
55
55
25
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
12
____
15
____
30
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time (2)
____
50
____
50
____
50
ns
3026 tbl 09
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
5
6.42
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