- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4156 > IDT71V3556S166PFGI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V3556S166PFGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3556S166PFGI8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页当前第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Synchronous Truth Table
(1)
CEN
R/ W
Chip (5)
ADV/ LD
BW x
ADDRESS
PREVIOUS CYCLE
CURRENT CYCLE
I/O
Enable
USED
(2 cycles later)
L
L
L
L
L
L
H
L
H
X
X
X
X
X
Select
Select
X
X
Deselect
X
X
L
L
H
H
L
H
X
Valid
X
Valid
X
X
X
X
External
External
Internal
Internal
X
X
X
X
X
LOAD WRITE /
BURST WRITE
LOAD READ /
BURST READ
X
DESELECT / NOOP
X
LOAD WRITE
LOAD READ
BURST WRITE
(Advance burst counter) (2)
BURST READ
(Advance burst counter) (2)
DESELECT or STOP (3)
NOOP
SUSPEND (4)
D (7)
Q (7)
D (7)
Q (7)
HiZ
HiZ
Previous Value
NOTES:
5281 tbl 08
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. When ADV/ LD signal is sampled high, the internal burst counter is incremented. The R/ W signal is ignored when the counter is advanced. Therefore the nature of the burst
cycle (Read or Write) is determined by the status of the R/ W signal when the first address is loaded at the beginning of the burst cycle.
3. Deselect cycle is initiated when either ( CE 1 , or CE 2 is sampled high or CE 2 is sampled low) and ADV/ LD is sampled low at rising edge of clock. The data bus will tri-state
two cycles after deselect is initiated.
4. When CEN is sampled high at the rising edge of clock, that clock edge is blocked from propogating through the part. The state of all the internal registers and the I/Os remains
unchanged.
5. To select the chip requires CE 1 = L, CE 2 = L, CE 2 = H on these chip enables. Chip is deselected if any one of the chip enables is false.
6. Device Outputs are ensured to be in High-Z after the first rising edge of clock upon power-up.
7. Q - Data read from the device, D - data written to the device.
Partial Truth Table for Writes
(1)
READ
WRITE ALL BYTES
OPERATION
R/ W
H
L
BW 1
X
L
BW 2
X
L
BW 3 (3)
X
L
BW 4 (3)
X
L
WRITE BYTE 1 (I/O[0:7], I/O P1 )
(2)
L
L
H
H
H
WRITE BYTE 3 (I/O[16:23], I/O P3 )
WRITE BYTE 4 (I/O[24:31], I/O P4 )
WRITE BYTE 2 (I/O[8:15], I/O P2 ) (2)
(2,3)
(2,3)
NO WRITE
L
L
L
L
H
H
H
H
L
H
H
H
H
L
H
H
H
H
L
H
NOTES:
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. Multiple bytes may be selected during the same cycle.
3. N/A for X18 configuration.
9
6.42
5281 tbl 09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 487526-7 | CONN RCPT 8POS.100 SLIM W/LATCH |
| XC4013XL-2HT144I | IC FPGA I-TEMP 3.3V 2SPD 144HQFP |
| XC4013XL-2HT144C | IC FPGA C-TEMP 3.3V 2SPD 144HQFP |
| XC4013E-4PQ208I | IC FPGA I-TEMP 5V 4SPD 208-PQFP |
| ASM43DTBT-S189 | CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V3556S166PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3556S166PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3556SA100BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V3556SA100BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V3556SA100BGG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。