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参数资料
| 型号： | IDT71V3557SA75BGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 27/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 84 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 75ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V3557SA75BGI |
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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of OE Operation (1)
OE
t OE
t OHZ
t OLZ
DATA Out
Q
Q
,
5282 drw 11
NOTE:
1. A read operation is assumed to be in progress.
Ordering Information
IDT
XXXX
Device
Type
XX
Power
XX
Speed
XX
Package
X
X
Process/
Temperature
Range
Blank Commercial (0°C to +70°C)
I Industrial (-40°C to +85°C)
G
Restricted Hazardous Substance Device
PF**
BG
BQ
75*
80
85
S
SA
100-Pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
Access time (t CD ) in tenths of nanoseconds
Standard Power
Standard Power with JTAG Interface
,
IDT71V3557 128Kx36 Flow-Through ZBT SRAM with 3.3V I/O
IDT71V3559 256Kx18 Flow-Through ZBT SRAM with 3.3V I/O
*C om m ercial tem perature range only.
5282 drw 12
** JTA G (S A version) is not available with 100-pin TQFP package
27
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TAJB157K004RNJ | CAP TANT 150UF 4V 10% 1210 |
| ICL7107CPL+ | IC ADC 3.5DIGIT W/LED 40-DIP |
| IDT71V3557SA75BGGI8 | IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA |
| ABM30DRMI | CONN EDGECARD 60POS .156 SQ WW |
| IDT71V3557SA75BGGI | IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V3557SA75BGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA75BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA75BQ8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA75BQG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA75BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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