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参数资料
| 型号： | IDT71V3557SA80BQGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3557SA80BQGI8 |
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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram ? 256K x 18
LBO
256K x 18 BIT
MEMORY ARRAY
Address A [0:17]
D
Q
Address
CE 1 , CE 2 CE 2
R/ W
D
Q
Control
CEN
ADV/ LD
BW x
DI
DO
D
Clk
Q
Control Logic
Clock
OE
Gate
Mux
Sel
TMS
Data I/O [0:15], I/O P[1:2]
,
TDI
TCK
JTAG
(SA Version)
TDO
5282 drw 01a
TRST
(optional)
Recommended DC Operating
Conditions
V DDQ + 0.3
-0.3
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
V IH
V IH
V IL
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Ground
Input High Voltage - Inputs
Input High Voltage - I/O
Input Low Voltage
Min.
3.135
3.135
0
2.0
2.0
(1)
Typ.
3.3
3.3
0
____
____
____
Max.
3.465
3.465
0
V DD + 0.3
(2)
0.8
Unit
V
V
V
V
V
V
5282 tbl 04
NOTES:
1. V IL (min.) = –1.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
2. V IH (max.) = +6.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
6.42
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PDF描述 |
|---|---|
| T97E477K010LSA | CAP TANT 470UF 10V 10% 2917 |
| VI-2W4-EV-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W |
| T97E108K004LSA | CAP TANT 1000UF 4V 10% 2917 |
| VI-2W4-EV-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W |
| TPSA106K006R1500 | CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V3557SA80BQI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA80BQI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA85BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA85BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3557SA85BGG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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