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参数资料
| 型号： | IDT71V3559S80PFGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 27/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3559S80PFGI8 |
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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of OE Operation (1)
OE
t OE
t OHZ
t OLZ
DATA Out
Q
Q
,
5282 drw 11
NOTE:
1. A read operation is assumed to be in progress.
Ordering Information
IDT
XXXX
Device
Type
XX
Power
XX
Speed
XX
Package
X
X
Process/
Temperature
Range
Blank Commercial (0°C to +70°C)
I Industrial (-40°C to +85°C)
G
Restricted Hazardous Substance Device
PF**
BG
BQ
75*
80
85
S
SA
100-Pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
Access time (t CD ) in tenths of nanoseconds
Standard Power
Standard Power with JTAG Interface
,
IDT71V3557 128Kx36 Flow-Through ZBT SRAM with 3.3V I/O
IDT71V3559 256Kx18 Flow-Through ZBT SRAM with 3.3V I/O
*C om m ercial tem perature range only.
5282 drw 12
** JTA G (S A version) is not available with 100-pin TQFP package
27
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3559S75PFGI8 | IC SRAM 4MBIT 75NS 100TQFP |
| 487526-4 | CONN RCPT 5POS.100 SLIM W/LATCH |
| IDT71V3556S133PFGI8 | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V3559S80PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559S80PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3559S85BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V3559S85BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V3559S85BGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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