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参数资料
| 型号： | IDT71V3559SA85BQI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3559SA85BQI8 |
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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration ? 128K x 36, 119 BGA
1
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7
A
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C
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V DDQ
NC
NC
I/O 16
I/O 17
V DDQ
I/O 20
I/O 22
V DDQ
I/O 24
I/O 25
V DDQ
I/O 29
I/O 31
NC
A 6
CE 2
A 7
I/O P3
I/O 18
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V DD
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 30
I/O P4
A 5
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 3
V SS
V DD(2)
V SS
BW 4
V SS
V SS
V SS
LBO
NC(3)
ADV/ LD
V DD
NC
CE 1
OE
NC(3)
R/ W
V DD
CLK
NC
CEN
A 1
A 0
V DD
A 8
A 9
A 12
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
V SS(1)
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS(1)
A 16
CE 2
A 15
I/O P2
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 9
V DD
I/O 6
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O P1
A 13
V DDQ
NC
NC
I/O 15
I/O 14
V DDQ
I/O 10
I/O 8
V DDQ
I/O 7
I/O 5
V DDQ
I/O 1
I/O 0
NC
T
U
NC
V DDQ
NC
NC/TMS (4)
A 10
NC/TDI (4)
A 11
NC/TCK (4)
A 14
NC/TDO (4)
NC
NC/ TRST (4,5)
NC/ZZ (6)
V DDQ
,
Top View
Pin Configuration - 256K x 18, 119 BGA
5282 drw 13A
1
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A
B
C
D
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V DDQ
NC
NC
I/O 8
NC
V DDQ
NC
I/O 11
V DDQ
NC
I/O 13
V DDQ
I/O 15
NC
NC
A 6
CE2
A 7
NC
I/O 9
NC
I/O 10
NC
V DD
I/O 12
NC
I/O 14
NC
I/O P2
A 5
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
V DD(2)
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
LBO
NC(3)
ADV/ LD
V DD
NC
CE 1
OE
NC(3)
R/ W
V DD
CLK
NC
CEN
A 1
A 0
V DD
A 8
A 9
A 13
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS(1)
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS(1)
A 16
CE 2
A 17
I/O P1
NC
I/O 6
NC
I/O 4
V DD
NC
I/O 2
NC
I/O 1
NC
A 12
V DDQ
NC
NC
NC
I/O 7
V DDQ
I/O 5
NC
V DDQ
I/O 3
NC
V DDQ
NC
I/O 0
NC
T
U
NC
V DDQ
A 10
NC/TMS (4)
A 15
NC/TDI (4)
NC A 14 A 11 NC/ZZ (6)
NC/TCK (4) NC/TDO (4) NC/TRST (4,5) V DDQ
,
5282 drw 13B
Top View
NOTES:
1. R5 and J5 do not have to be directly connected to V SS as long as the input voltage is < V IL.
2. J3 does not have to be directly connected directly to V DD as long as the input voltage is ≥ V IH .
3. G4 and A4 are reserved for future 8M and 16M respectively.
4. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
5. TRST is offered as an optional JTAG reset if requested in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V DD.
6. Pin T7 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
7
6.42
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PDF描述 |
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| IDT71V35761S166BGG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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