- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20202 > IDT71V35761SA183BQI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V35761SA183BQI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 183MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V35761SA183BQI8 |
IDT71V35761, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Synchronous Truth Table (1,3)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Operation
Address
CE
CS 0
CS 1
ADSP
ADSC
ADV
GW
BWE
BW x
OE
CLK
I/O
Used
(2)
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Write Cycle, Begin Burst
Write Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
None
None
None
None
None
External
External
External
External
External
External
External
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
H
H
H
H
X
X
H
H
X
X
X
X
H
H
H
H
X
X
H
H
X
X
L
X
L
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
X
X
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
H
H
X
X
H
H
H
H
X
X
X
X
H
H
X
X
L
X
X
L
L
X
X
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
H
L
L
L
X
H
H
X
X
H
H
X
X
L
X
L
X
H
H
X
X
H
H
X
X
L
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
H
L
X
X
X
H
H
X
X
H
H
L
X
L
X
X
X
H
H
X
X
H
H
L
X
L
X
X
X
X
X
X
L
H
L
L
H
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
HI-Z
HI-Z
HI-Z
HI-Z
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
D OUT
HI-Z
D IN
D IN
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D IN
D IN
D IN
D IN
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D IN
D IN
D IN
D IN
NOTES:
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. OE is an asynchronous input.
3. ZZ = low for this table.
9
6.42
5301tbl 11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GCM10DTMH | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| T95R397K6R3HSAS | CAP TANT 390UF 6.3V 10% 2824 |
| IDT71V35761SA183BQI | IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA |
| T95R337M010HSAS | CAP TANT 330UF 10V 20% 2824 |
| PSAA18U-120-R-CNR4 | ADAPTER DESKTOP CLASS I 18W 12V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V35761SA200BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V35761SA200BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V35761SA200BGG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V35761SA200BGG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V35761SA200BGGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。