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参数资料
| 型号： | IDT71V35761SA200BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V35761SA200BG8 |
IDT71V35761, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Pin Configuration – 128K x 36, 119 BGA
Commercial and Industrial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
V DDQ
NC
NC
I/O 16
I/O 17
V DDQ
I/O 20
I/O 22
V DDQ
I/O 24
I/O 25
V DDQ
I/O 29
I/O 31
A 6
CS 0
A 7
I/O P3
I/O 18
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V DD
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 30
I/O P4
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 3
V SS
NC
V SS
BW 4
V SS
V SS
V SS
ADSP
ADSC
V DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V DD
CLK
NC
BWE
A 1
A 0
A 8
A 9
A 12
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
NC
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
A 16
CS 1
A 15
I/O P2
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 9
V DD
I/O 6
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 0
V DDQ
NC
NC
I/O 15
I/O 14
V DDQ
I/O 10
I/O 8
V DDQ
I/O 7
I/O 5
V DDQ
I/O 1
I/O P1
R
T
NC
NC
A 5
NC
LBO
A 10
V DD
A 11
V DD / NC (1)
A 14
A 13
NC
NC
ZZ (3)
,
U
V DDQ
NC/TMS (2) NC/TDI (2) NC/TCK (2)
NC/TDO (2) NC/TRST (2,4) V DDQ
Top View
5301 drw 04
NOTES:
1. R5 can either be directly connected to V DD , or connected to an input voltage ≥ V IH , or left unconnected.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to V SS , V DD or left floating.
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4. TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V DD .
6.42
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