- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20201 > IDT71V35761SA200BQI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V35761SA200BQI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 136 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V35761SA200BQI |
IDT71V35761, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read Cycle (1,2)
,
12
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM22MMWN | CARDEDGE MALE 44POS .156 T/H AU |
| NH15VPF7 | BATTERY PACK NIMH 8.4V 2300MAH |
| C1210C476M8R2CTU | CAP CER 47UF 10V 20% X7R 1210 |
| VE-J6P-CX-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W |
| TC7117CLW713 | IC ADC 3 1/2DGT LED DVR 44-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V35761SA200BQI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V35761YS166BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V35761YS166BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V35761YS166PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V35761YS183BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。