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参数资料
| 型号： | IDT71V35761YSA200BQI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 136 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V35761YSA200BQI |
IDT71V35761, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V DD = 3.3V ±5%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
200MHz (5)
183MHz
166MHz
t CYC
t CH (1)
t CL (1)
Symbol
Parameter
Clock Cycle Time
Clock High Pulse Width
Clock Low Pulse Width
Min.
5
2
2
Max.
—
—
—
Min.
5.5
2.2
2.2
Max.
—
—
—
Min.
6
2.4
2.4
Max.
—
—
—
Unit
ns
ns
ns
Output Parameters
t CD
t CDC
t CLZ (2)
t CHZ (2)
t OE
t OLZ (2)
t OHZ (2)
Clock High to Valid Data
Clock High to Data Change
Clock High to Output Active
Clock High to Data High-Z
Output Enable Access Time
Output Enable Low to Output Active
Output Enable High to Output High-Z
—
1.0
0
1.5
—
0
—
3.1
—
—
3.1
3.1
—
3.1
—
1.0
0
1.5
—
0
—
3.3
—
—
3.3
3.3
—
3.3
—
1.0
0
1.5
—
0
—
3.5
—
—
3.5
3.5
—
3.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Set Up Times
t SA
t SS
t SD
t SW
t SAV
t SC
Address Setup Time
Address Status Setup Time
Data In Setup Time
Write Setup Time
Address Advance Setup Time
Chip Enable/Select Setup Time
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
—
—
—
—
—
—
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
—
—
—
—
—
—
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Hold Times
t HA
t HS
t HD
t HW
t HAV
t HC
Address Hold Time
Address Status Hold Time
Data In Hold Time
Write Hold Time
Address Advance Hold Time
Chip Enable/Select Hold Time
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
—
—
—
—
—
—
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
—
—
—
—
—
—
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Sleep Mode and Configuration Parameters
t ZZPW
t ZZR (3)
t CFG (4)
ZZ Pulse Width
ZZ Recovery Time
Configuration Set-up Time
100
100
20
—
—
—
100
100
22
—
—
—
100
100
24
—
—
—
ns
ns
ns
5301tbl 16
NOTES:
1. Measured as HIGH above V IH and LOW below V IL .
2. Transition is measured ±200mV from steady-state.
3. Device must be deselected when powered-up from sleep mode.
4. t CFG is the minimum time required to configure the device based on the LBO input. LBO is a static input and must not change during normal operation.
5. Commercial temperature range only.
11
6.42
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参数描述 |
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| IDT71V3576S133PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3576S133PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3576S133PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V3576S133PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
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