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参数资料
| 型号： | IDT71V3576S133PFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3576S133PFG8 |
IDT71V3576, IDT71V3578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Synchronous Truth Table (1,3)
Operation
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Write Cycle, Begin Burst
Write Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
Address
Used
None
None
None
None
None
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CE
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CS 0
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L
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X
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X
X
X
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X
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X
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X
X
X
CS 1
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X
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L
L
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X
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X
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ADV
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BWE
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BW x
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OE
(2)
X
X
X
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X
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L
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L
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L
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X
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X
X
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CLK
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I/O
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HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
D OUT
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D OUT
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D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D IN
D IN
D IN
D IN
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D IN
D IN
D IN
D IN
NOTES:
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. OE is an asynchronous input.
3. ZZ = low for this table.
8
6.42
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