- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20199 > IDT71V3576S150PFI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V3576S150PFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 150MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3576S150PFI8 |
IDT71V3576, IDT71V3578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Commercial &
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Symbol
Rating
Industrial
Unit
Grade
Temperature (1)
V SS
V DD
V DDQ
V TERM (2)
V TERM (3,6)
V TERM (4,6)
Terminal Voltage with
Respect to GND
Terminal Voltage with
Respect to GND
Terminal Voltage with
-0.5 to +4.6
-0.5 to V DD
-0.5 to V DD +0.5
V
V
V
Commercial 0°C to +70°C
Industrial -40°C to +85°C
NOTES:
1. T A is the "instant on" case temperature.
0V
0V
3.3V±5%
3.3V±5%
3.3V±5%
3.3V±5%
5279 tbl 04
Respect to GND
V TERM (5,6)
Terminal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V DDQ +0.5
V
Recommended DC Operating
Conditions
T A
(7)
Commercial
Operating Temperature
Industrial
Operating Temperature
-0 to +70
-40 to +85
o
o
C
C
Symbol
V DD
V DDQ
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Min.
3.135
3.135
Typ.
3.3
3.3
Max.
3.465
3.465
Unit
V
V
T BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
V SS
V IH
Supply Voltage
Input High Voltage - Inputs
0
2.0
0
____
0
V DD +0.3
V
V
T STG
Storage
-55 to +125
o
C
V IH
Input High Voltage - I/O
2.0
____
V DDQ +0.3
(1)
V
P T
Temperature
Power Dissipation
2.0
W
V IL
NOTES:
Input Low Voltage
-0.3
(2)
____
0.8
V
5279 tbl 06
I OUT
DC Output Current
50
mA
1. V IH (max) = V DDQ + 1.0V for pulse width less than t CYC/2 , once per cycle.
2. V IL (min) = -1.0V for pulse width less than t CYC/2 , once per cycle.
NOTES:
5279 tbl 03
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V DD terminals only.
3. V DDQ terminals only.
4. Input terminals only.
5. I/O terminals only.
6. This is a steady-state DC parameter that applies after the power supplies have
ramped up. Power supply sequencing is not necessary; however, the voltage
on any input or I/O pin cannot exceed V DDQ during power supply ramp up.
7. T A is the "instant on" case temperature.
100 Pin TQFP Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
5
7
Unit
pF
pF
NOTE:
5279 tbl 07
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95R397M6R3HSAS | CAP TANT 390UF 6.3V 20% 2824 |
| IDT71V3576S150PFI | IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP |
| MC33275MN-5.0R2G | IC REG LDO 5V .3A 8-DFN |
| MLF2012DR27K | INDUCTOR MULTILAYER 0.27UH 0805 |
| IDT71V3576S150PF8 | IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V3576YS133PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3576YS133PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3576YS150PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3576YS150PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V3577S65PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 65NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。