参数资料
型号: IDT71V3577S75BQG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 16/22页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
标准包装: 136
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 4.5M(128K x 36)
速度: 75ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 165-TBGA
供应商设备封装: 165-CABGA(13x15)
包装: 托盘
IDT71V3577S_79S, IDT71V3577SA_79SA, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 2 - Byte Controlled (1,2,3)
,
16
6.42
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PDF描述
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参数描述
IDT71V3577S75BQG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 7.5NS 165CABGA
IDT71V3577S75BQI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT71V3577S75BQI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V3577S75PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3577S75PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040