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参数资料
| 型号： | IDT71V3578S150PFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 150MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V3578S150PFGI |
IDT71V3576, IDT71V3578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 5%)
Symbol
|I LI |
|I LZZ |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
ZZ and LBO Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DDQ , Device Deselected
I OL = +8mA, V DD = Min.
I OH = -8mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
1. The LBO pin will be internally pulled to V DD and the ZZ pin will be internally pulled to V SS if they are not actively driven in the application.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1)
5279 tbl 08
150MHz
133MHz
Symbol
I DD
I SB1
I SB2
I ZZ
Parameter
Operating Power Supply
Current
CMOS Standby Power
Supply Current
Clock Running Power
Supply Current
Full Sleep Mode Supply
Current
Test Conditions
Device Selected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = 0 (2,3)
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
ZZ > V HD, V DD = Max.
Com'l
295
30
105
30
Ind
305
35
115
35
Com'l
250
30
100
30
Ind
260
35
110
35
Unit
mA
mA
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC while ADSC = LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ - 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD - 0.2V, V LD = 0.2V.
5279 tbl 09
AC Test Conditions
(V DDQ = 3.3V)
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
0 to 3V
2ns
1.5V
1.5V
See Figure 1
AC Test Load
I/O
6
5
V DDQ /2
50 Ω
Z 0 = 50 Ω
5279 drw 06
Figure 1. AC Test Load
,
5279 tbl 10
Δ tCD
4
3
(Typical, ns)
2
1
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
5279 drw 07
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
7
6.42
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