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参数资料
| 型号： | IDT71V416L10BEG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA |
| 标准包装： | 250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-CABGA（9x9） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V416L10BEG |
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 2 ( CS Controlled Timing) (1,3)
t WC
ADDRESS
t AW
CS
BHE, BLE
WE
DATA OUT
t AS
t BW
t WP
t CW (2)
t WR
t DW
t DH
DATA IN
DATA IN VALID
3624 drw 09
Timing Waveform of Write Cycle No. 3
( BHE , BLE Controlled Timing) (1,3)
t WC
ADDRESS
t AW
CS
BHE, BLE
t AS
t CW
(2)
t BW
WE
DATA OUT
t WP
t DW
t WR
t DH
DATA IN
DATA IN VALID
3624 drw 10
NOTES:
1. A write occurs during the overlap of a LOW CS , LOW BHE or BLE , and a LOW WE .
2. During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
3. If the CS LOW or BHE and BLE LOW transition occurs simultaneously with or after the WE LOW transition, the outputs remain in a high-impedance state.
7
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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