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参数资料
| 型号： | IDT71V416L12BEGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 48FBGA |
| 标准包装： | 250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-CABGA（9x9） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V416L12BEGI |
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Value
Unit
Recommended Operating
Temperature and Supply
Voltage
C
–40 C to +85 C
V DD
V IN, V OUT
T BIAS
Supply Voltage Relative to V SS
Terminal Voltage Relative to
V SS
Temperature Under Bias
-0.5 to +4.6
-0.5 to V DD +0.5
-55 to +125
V
V
o
Grade
Commercial
Industrial
Temperature
0 O C to +70 O C
O O
V SS
0V
0V
V DD
See Below
See Below
C
T STG
P T
I OUT
Storage Temperature
Power Dissipation
DC Output Current
-55 to +125
1
50
o
W
mA
3624 tbl 04
Recommended DC Operating
Conditions
3624 tbl 05
V DD +0.3
NOTE:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
Symbol
V DD
V SS
V IH
V IL
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
Min.
3.0
0
2.0
-0.3 (2)
Typ.
3.3
0
____
____
Max.
3.6
0
0.8
(1)
Unit
V
V
V
V
NOTES:
3624 tbl 06
1. VIH (max.) = VDD+2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
2. VIL (min.) = –2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
Truth Table (1)
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
L
L
L
X
X
X
H
X
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
X
BLE
X
L
H
L
L
L
H
X
H
BHE
X
H
L
L
L
H
L
X
H
I/O 0- I/O 7
High-Z
DATA OUT
High-Z
DATA OUT
DATA IN
DATA IN
High-Z
High-Z
High-Z
I/O 8- I/O 15
High-Z
High-Z
DATA OUT
DATA OUT
DATA IN
High-Z
DATA IN
High-Z
High-Z
Function
Deselected - Standby
Low Byte Read
High Byte Read
Word Read
Word Write
Low Byte Write
High Byte Write
Outputs Disabled
Outputs Disabled
NOTE:
1. H = V IH , L = V IL , X = Don't care.
3
6.42
3624 tbl 03
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PDF描述 |
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