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参数资料
| 型号： | IDT71V416L12PHG/3247 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP |
| 标准包装： | 26 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71V416L12PHG/3247 |
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics
(V DD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
IDT71V416
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = Max., V IN = V SS to V DD
V DD = Max., CS = V IH , V OUT = V SS to V DD
I OL = 8mA, V DD = Min.
I OH = -4mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
3624 tbl 07
DC Electrical Characteristics (1, 2, 3)
(V DD = Min. to Max., V LC = 0.2V, V HC = V DD – 0.2V)
71V416S/L10
71V416S/L12
71V416S/L15
Symbol
Parameter
Com'l.
Ind. (5)
Com'l.
Ind.
Com'l.
Ind.
Unit
I CC
I SB
I SB1
Dynamic Operating Current
CS < V LC , Outputs Open, V DD = Max., f = f MAX (4)
Dynamic Standby Power Supply Current
CS > V HC , Outputs Open, V DD = Max., f = f MAX (4)
Full Standby Pow er Supply Current (static)
CS > V HC , Outputs Open, V DD = Max., f = 0 (4)
S
L
S
L
S
L
200
180
70
50
20
10
200
—
70
—
20
—
180
170
60
45
20
10
180
170
60
45
20
10
170
160
50
40
20
10
170
160
50
40
20
10
mA
mA
mA
NOTES:
values.
1. All values are maximum guaranteed IDT71V416S/71V416L
2. All inputs switch between 0.2V (Low) and V DD -0.2V (High).
3. Power specifications are preliminary.
4. fMAX = 1/t RC (all address inputs are cycling at f MAX ); f = 0 means no address input lines are changing.
5. Standard power 10ns (S10) speed grade only.
AC Test Loads
3.3V
3624 tbl 08
+1.5V
50 ?
DATA OUT
320 ?
I/O
Z 0 = 50 ?
30pF
5pF*
350 ?
3624 drw 03
3624 drw 04
Figure 1. AC Test Load
*Including jig and scope capacitance.
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW , and t WHZ )
7
6
? t AA, t ACS
(Typical, ns) 5
?
AC Test Conditions
4
3
?
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
2
?
?
Input Rise/Fall Times
1.5ns
1
?
?
?
Input Timing Reference Levels
1.5V
8 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Output Reference Levels
1.5V
CAPACITANCE (pF)
3624 drw 05
AC Test Load
Figures 1,2 and 3
Figure 3. Output Capacitive Derating
6.42
3624 tbl 09
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT71V416L12PHGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
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