- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4380 > IDT71V416S10PHG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V416S10PHG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP |
| 标准包装： | 26 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71V416S10PHG IDT71V416S10PHG-ND |
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 2 ( CS Controlled Timing) (1,3)
t WC
ADDRESS
t AW
CS
BHE, BLE
WE
DATA OUT
t AS
t BW
t WP
t CW (2)
t WR
t DW
t DH
DATA IN
DATA IN VALID
3624 drw 09
Timing Waveform of Write Cycle No. 3
( BHE , BLE Controlled Timing) (1,3)
t WC
ADDRESS
t AW
CS
BHE, BLE
t AS
t CW
(2)
t BW
WE
DATA OUT
t WP
t DW
t WR
t DH
DATA IN
DATA IN VALID
3624 drw 10
NOTES:
1. A write occurs during the overlap of a LOW CS , LOW BHE or BLE , and a LOW WE .
2. During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
3. If the CS LOW or BHE and BLE LOW transition occurs simultaneously with or after the WE LOW transition, the outputs remain in a high-impedance state.
7
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APA600-PQG208A | IC FPGA PROASIC+ 600K 208-PQFP |
| RSA50DRMD-S273 | CONN EDGECARD 100POS .125 SQ WW |
| APA600-BG456I | IC FPGA PROASIC+ 600K 456-PBGA |
| APA600-BGG456I | IC FPGA PROASIC+ 600K 456-PBGA |
| RMA50DRMD-S273 | CONN EDGECARD 100POS .125 SQ WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V416S10PHG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| IDT71V416S10PHGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V416S10PHGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V416S10PHI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V416S10PHI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。