参数资料
型号: IDT71V416S12PHG8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 4/9页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP
标准包装: 1
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 4M (256K x 16)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商设备封装: 44-TSOP II
包装: 标准包装
产品目录页面: 1256 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 800-1849-6
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics
(V DD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
IDT71V416
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = Max., V IN = V SS to V DD
V DD = Max., CS = V IH , V OUT = V SS to V DD
I OL = 8mA, V DD = Min.
I OH = -4mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
3624 tbl 07
DC Electrical Characteristics (1, 2, 3)
(V DD = Min. to Max., V LC = 0.2V, V HC = V DD – 0.2V)
71V416S/L10
71V416S/L12
71V416S/L15
Symbol
Parameter
Com'l.
Ind. (5)
Com'l.
Ind.
Com'l.
Ind.
Unit
I CC
I SB
I SB1
Dynamic Operating Current
CS < V LC , Outputs Open, V DD = Max., f = f MAX (4)
Dynamic Standby Power Supply Current
CS > V HC , Outputs Open, V DD = Max., f = f MAX (4)
Full Standby Pow er Supply Current (static)
CS > V HC , Outputs Open, V DD = Max., f = 0 (4)
S
L
S
L
S
L
200
180
70
50
20
10
200
70
20
180
170
60
45
20
10
180
170
60
45
20
10
170
160
50
40
20
10
170
160
50
40
20
10
mA
mA
mA
NOTES:
values.
1. All values are maximum guaranteed IDT71V416S/71V416L
2. All inputs switch between 0.2V (Low) and V DD -0.2V (High).
3. Power specifications are preliminary.
4. fMAX = 1/t RC (all address inputs are cycling at f MAX ); f = 0 means no address input lines are changing.
5. Standard power 10ns (S10) speed grade only.
AC Test Loads
3.3V
3624 tbl 08
+1.5V
50 ?
DATA OUT
320 ?
I/O
Z 0 = 50 ?
30pF
5pF*
350 ?
3624 drw 03
3624 drw 04
Figure 1. AC Test Load
*Including jig and scope capacitance.
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW , and t WHZ )
7
6
? t AA, t ACS
(Typical, ns) 5
?
AC Test Conditions
4
3
?
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
2
?
?
Input Rise/Fall Times
1.5ns
1
?
?
?
Input Timing Reference Levels
1.5V
8 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Output Reference Levels
1.5V
CAPACITANCE (pF)
3624 drw 05
AC Test Load
Figures 1,2 and 3
Figure 3. Output Capacitive Derating
6.42
3624 tbl 09
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PDF描述
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参数描述
IDT71V416S12PHGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR
IDT71V416S12PHGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V416S12PHI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V416S12PHI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
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