参数资料
型号: IDT71V424L12YGI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 6/9页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ
标准包装: 20
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 4M (512K x 8)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 36-BSOJ
供应商设备封装: 36-SOJ
包装: 管件
其它名称: 71V424L12YGI
IDT71V424S, IDT71V424L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (512K x 8-bit)
Timing Waveform of Read Cycle No. 1 (1)
t RC
ADDRESS
t AA
OE
t OE
Commercial and Industrial Temperature Ranges
CS
t OLZ
(5)
t CLZ
(5)
t ACS
(3)
t CHZ
(5)
t OHZ (5)
DATA OUT
V CC SUPPLY I CC
HIGH IMPEDANCE
t PU
DATA OUT VALID
t PD
CURRENT I SB
3622 drw 06
Timing Waveform of Read Cycle No. 2 (1, 2, 4)
t RC
ADDRESS
t AA
t OH
t OH
DATA OUT
PREVIOUS DATA OUT VALID
DATA OUT VALID
3622 drw 07
NOTES:
1. WE is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected, CS is LOW.
3. Address must be valid prior to or coincident with the later of CS transition LOW; otherwise t AA is the limiting parameter.
4. OE is LOW.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
6.42
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参数描述
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