参数资料
型号: IDT71V424L12YI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 2/9页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ
产品变化通告: Product Discontinuation 29/Apr/2010
标准包装: 20
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 4M (512K x 8)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 36-BSOJ
供应商设备封装: 36-SOJ
包装: 管件
其它名称: 71V424L12YI
IDT71V424S, IDT71V424L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (512K x 8-bit)
Pin Configuration
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration
A0
A1
A2
A3
A4
CS
1
2
3
4
5
6
36
35
34
33
32
31
NC
A18
A17
A16
A15
OE
NC
NC
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
44
43
42
41
40
39
NC
NC
NC
A18
A17
A16
I/O 0
I/O 1
V DD
V SS
I/O 2
7
8
9
10
11
SO36-1
30
29
28
27
26
I/O 7
I/O 6
V SS
V DD
I/O 5
A4
CS
I/00
I/01
7
8
9
10
38
37
36
35
A15
OE
I/07
I/06
I/O 3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
12
13
14
15
16
17
18
25
24
23
22
21
20
19
I/O 4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
V DD
V SS
I/02
I/03
WE
A5
11
12
13
14
15
16
SO44-2
34
33
32
31
30
29
V SS
V DD
I/05
I/04
A14
A13
A6
17
28
A12
SOJ
Top View
3622 drw 02
A7
A8
A9
NC
NC
18
19
20
21
22
27
26
25
24
23
A11
A10
NC
NC
NC
TSOP
Top View
3622 drw 11
Pin Description
Capacitance
A 0 – A 18
Address Inputs
Input
(T A = +25°C, f = 1.0MHz, SOJ package)
CS
WE
OE
Chip Select
Write Enable
Output Enable
Input
Input
Input
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
7
8
Unit
pF
pF
I/O 0 - I/O 7
Data Input/Output
I/O
NOTE:
3622 tbl 03
V DD
V SS
3.3V Power
Ground
Power
Gnd
3622 tbl 02
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production
tested.
Truth Table (1,2)
CS
L
L
L
H
OE
L
X
H
X
WE
H
L
H
X
I/O
DATA OUT
DATA IN
High-Z
High-Z
Function
Read Data
Write Data
Output Disabled
Deselected - Standby (I SB )
V HC
(3)
X
X
High-Z
Deselected - Standby (I SB1 )
NOTES:
1. H = V IH , L = V IL , x = Don't care.
2. V LC = 0.2V, V HC = V DD -0.2V.
3. Other inputs ≥ V HC or ≤ V LC .
6.42
3622 tbl 01
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PDF描述
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参数描述
IDT71V424L12YI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V424L15PH 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V424L15PH8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V424L15PHG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR
IDT71V424L15PHG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘