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参数资料
| 型号： | IDT71V424L15YG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 15NS 36SOJ |
| 标准包装： | 500 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 36-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 36-SOJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V424L15YG8 |
IDT71V424S, IDT71V424L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (512K x 8-bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V CC = 3.3V ± 10%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
71V424S/L10
71V424S/L12
71V424S/L15
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t CLZ
t OLZ
t RC
t AA
t ACS
(1)
t CHZ (1)
t OE
(1)
t OHZ (1)
t OH
t PU (1)
t PD (1)
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select to Output in Low-Z
Chip Deselect to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
Output Enable to Output in Low-Z
Output Disable to Output in High-Z
Output Hold from Address Change
Chip Select to Power Up Time
Chip Deselect to Power Down Time
10
____
____
4
____
____
0
____
4
0
____
____
10
10
____
5
5
____
5
____
____
10
12
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____
4
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____
0
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4
0
____
____
12
12
____
6
6
____
6
____
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12
15
____
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4
____
____
0
____
4
0
____
____
15
15
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7
7
____
7
____
____
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
WRITE CYCLE
t WC
t AW
t CW
t AS
t WP
t WR
t DW
t DH
t OW (1)
t WHZ (1)
Write Cycle Time
Address Valid to End of Write
Chip Select to End of Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End of Write
Data Hold Time
Output Active from End of Write
Write Enable to Output in High-Z
10
8
8
0
8
0
6
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
6
12
8
8
0
8
0
6
0
3
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____
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____
7
15
10
10
0
10
0
7
0
3
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____
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7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3622 tbl 10
NOTE:
1. This parameter guaranteed with the AC load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
5
6.42
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