- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4479 > IDT71V424S10PHG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V424S10PHG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP |
| 标准包装： | 26 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1256 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 71V424S10PHG 800-1481 800-1481-5 800-1481-ND |
3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (512K x 8-Bit)
IDT71V424S
IDT71V424L
512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
Equal access and cycle times
Single 3.3V power supply
One Chip Select plus one Output Enable pin
Bidirectional data inputs and outputs directly
Low power consumption via chip deselect
Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and
Features
◆
◆
◆
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆
◆
◆
TTL-compatible
◆
◆
44-pin, 400 mil TSOP.
Description
The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized
as 512K x 8. It is fabricated using high-perfomance, high-reliability CMOS
technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative
circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed
memory needs.
The IDT71V424 has an output enable pin which operates as fast as
5ns, with address access times as fast as 10ns. All bidirectional inputs and
outputs of the IDT71V424 are TTL-compatible and operation is from a
single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring
no clocks or refresh for operation.
The IDT71V424 is packaged in a 36-pin, 400 mil Plastic SOJ and 44-
pin, 400 mil TSOP.
Functional Block Diagram
A 0
?
?
?
ADDRESS
DECODER
?
?
?
4,194,304-BIT
MEMORY ARRAY
A 18
I/O 0 - I/O 7
8
I/O CONTROL
8
8
? 2013 Integrated Device Technology, Inc.
WE
OE
CS
CONTROL
LOGIC
1
3622 drw 01
SEPTEMBER 2013
DSC-3622/10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M1AFS250-2FGG256 | IC FPGA 2MB FLASH 250K 256-FBGA |
| IDT71V416L10PHG | IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP |
| EP4CGX30CF19C8N | IC CYCLONE IV GX FPGA 30K 324FBG |
| ASC43DRTF-S13 | CONN EDGECARD 86POS .100 EXTEND |
| AMC43DRTF-S13 | CONN EDGECARD 86POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V424S10PHG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V424S10PHGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V424S10PHGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V424S10PHI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V424S10PHI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。