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参数资料
| 型号： | IDT71V424YS12PH8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1,500 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V424YS12PH8 |
IDT71V424S, IDT71V424L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (512K x 8-bit)
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
1.5ns
1.5V
1.5V
See Figure 1, 2 and 3
Commercial and Industrial Temperature Ranges
3622 tbl 09
AC Test Loads
+1.5V
50 ?
3.3V
320 ?
I/O
Z 0 = 50 ?
DATA OUT
30pF
5pF*
350 ?
3622 drw 03
3622 drw 04
*Including jig and scope capacitance.
Figure 1. AC Test Load
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW, and t WHZ )
7
?
6
? t AA, t ACS
(Typical, ns) 5
4
3
2
?
?
?
1
?
?
?
8 20
40
60 80 100 120 140 160 180 200
3622 drw 05
CAPACITANCE (pF)
Figure 3. Output Capacitive Derating
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| IDT71V424YS12PHI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V424YS12Y | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V424YS12YGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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