参数资料
型号: IDT71V632S5PFG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 19/19页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP
标准包装: 144
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 2M(64K x 32)
速度: 5ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.63 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
产品目录页面: 1256 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 71V632S5PFG
800-1484
IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Datasheet Document History
Commercial and Industrial Temperature Ranges
9/9/99
Pg. 1, 8, 9, 17
Pg. 15, 16
Pg. 18
Updated to new format
Revised speed offerings to 66–117MHz
Added non-burst read and write cycle timing diagrams
Added Datasheet Document History
09/30/99
04/04/00
08/09/00
08/17/01
02/28/07
10/16/08
05/27/10
Pg. 1, 4, 8, 9, 17
Pg. 17
Pg.18
Pg.18
Pg. 17
Added industrial temperature range offerings
Added 100pinTQFP package Diagram Outline
Not recommended for new designs
Removed “Not recommended for new designs” from the background on the datasheet
Added Z generation die step to data sheet ordering information.
Removed “IDT” from prderable part number.
Added "Restricted hazardous substance device" to the ordering information
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800-345-7015
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www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
19
6.42
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IDT71V632S5PFG8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
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IDT71V632S5PFI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
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