参数资料
型号: IDT71V632S6PF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 10/19页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP
标准包装: 144
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 2M(64K x 32)
速度: 6ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.63 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 71V632S6PF
IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Timing Waveform of Pipelined Read Cycle (1,2)
10
6.42
Commercial and Industrial Temperature Ranges
相关PDF资料
PDF描述
NCV8702MX30TCG IC REG LDO 3V .2A 6XDFN
TPSB106K016R0500 CAP TANT 10UF 16V 10% 1210
IDT71V632S5PFI8 IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP
NCV8702MX28TCG IC REG LDO 2.8V .2A 6XDFN
T95R106M050EZSS CAP TANT 10UF 50V 20% 2824
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71V632S6PF8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V632S6PFG 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V632S6PFG8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V632S6PFGI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V632S6PFGI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘