- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20151 > IDT71V632S7PF8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V632S7PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 2M（64K x 32） |
| 速度： | 7ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V632S7PF8 |
t CYC
CLK
ADSP
t SS
t HS
t SA
t HA
(2)
t CH
t CL
ADDRESS
Ax
Ay
t SW
Az
t HW
GW
ADV
OE
t OE
t SD t HD
DATA IN
DATA OUT
t CD
t CLZ
t OHZ
O1(Ax)
I1(Ay)
t OLZ
t CDC
O1(Az)
O2(Az)
O3(Az)
Single Read
Pipelined
Write
Pipelined Burst Read
3619 drw 07
NOTES:
1. Device is selected through entire cycle; CE and CS 1 are LOW, CS 0 is HIGH.
2. ZZ input is LOW and LBO is Don’t Care for this cycle.
3. O1(Ax) represents the first output from the external address Ax. I1 (Ay) represents the first input from the external address Ay. O1(Az) represents the first output from the external addresss Az; O2(Az)
represents the next output data in the burst sequence of the base address Az, etc. where A 0 and A 1 are advancing for the four word burst in the sequence defined by the state of the LBO input.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9008AIEFZ-T | IC REG LDO 2.5V .15A SC70-5 |
| GBC22DRTH | CONN EDGECARD 44POS DIP .100 SLD |
| PSAC60W-480-R-CNR3 | ADAPTER DESKTOP CLASS II 60W 48V |
| IDT71V632S7PF | IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP |
| HHR-450AB21L3X2 | BATTERY PACK NIMH 7.2V 4200MAH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V632S7PFG | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V632S7PFG8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V632S7PFGI | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V632S7PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V632S7PFI | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。