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参数资料
| 型号： | IDT71V632S7PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP |
| 标准包装： | 144 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 2M（64K x 32） |
| 速度： | 7ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V632S7PF |
IDT71V632, 64K x 32, 3.3V Synchronous SRAM
with Pipelined Outputs and Single Cycle Deselect
Non-Burst Write Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
ADSC
Commercial and Industrial Temperature Ranges
ADDRESS
Av
Aw
Ax
Ay
Az
GW
CE , CS 1
CS 0
DATA IN
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
(Az)
,
3619 drw 12
NOTES:
1. ZZ input is LOW, ADV and OE are HIGH, and LBO is Don’t Care for this cycle.
2. (A X ) represents the data for address A X , etc.
3. Although only GW writes are shown, the functionality of BWE and BW x together is the same as GW .
4. For write cycles, ADSP and ADSC have different limitations.
16
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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