参数资料
型号: IDT71V65703S75PF8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 8/26页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步 ZBT
存储容量: 9M(256K x 36)
速度: 75ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 71V65703S75PF8
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration ? 256K x 36, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
(3)
NC
I/O P3
I/O 17
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V SS (1)
I/O 25
I/O 27
I/O 29
I/O 31
A 7
A 6
NC
I/O 16
I/O 18
I/O 20
I/O 22
V DD (2)
I/O 24
I/O 26
I/O 28
I/O 30
CE 1
CE 2
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 3
BW 4
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
BW 2
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CE 2
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CEN
R/ W
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADV /LD
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
A 17
NC (3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
I/O 15
I/O 13
I/O 11
I/O 9
NC
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
NC
NC (3)
I/O P2
I/O 14
I/O 12
I/O 10
I/O 8
ZZ
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
DNU
N
I/O P4
NC
V DDQ
V SS
(4)
NC
V SS
(1)
V SS
V DDQ
NC
I/O P1
NC
DNU
DNU
P
R
NC
LBO
NC (3)
(3)
A 5
A 4
A 2
A 3
DNU (4)
(4)
A 1
A 0
DNU (4)
(4)
A 10
A 11
A 13
A 12
A 14
A 15
NC
A 16
5298 tbl 25a
Pin Configuration ? 512K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC (3)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V SS (1)
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
A 7
A 6
NC
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
V DD (2)
NC
NC
NC
NC
CE 1
CE 2
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 2
NC
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
NC
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CE 2
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CEN
R/ W
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADV /LD
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
A 18
NC (3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
NC
NC
NC
NC
NC
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
A 10
NC (3)
I/O P1
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
ZZ
NC
NC
NC
NC
DNU
N
I/O P2
NC
V DDQ
V SS
(4)
NC
V SS
(1)
V SS
V DDQ
NC
NC
NC
DNU
DNU
P
R
NC
LBO
NC (3)
(3)
A 5
A 4
A 2
A 3
DNU (4)
(4)
A 1
A 0
DNU (4)
(4)
A 11
A 12
A 14
A 13
A 15
A 16
NC
A 17
NOTES:
5298 tbl25b
1. Pins H1 and N7 do not have to be connected directly to V SS as long as the input voltage is < V IL .
2. Pin H2 does not have to be connected directly to V DD as long as the input voltage is > V IH .
3. Pin B9, B11, A1, R2 and P2 are reserved for a future 18M, 36M, 72M, 144M and 288M respectively.
4. DNU = Do not use. Pins P5, R5, P7, R7 and N5 are reserved for respective JTAG pins: TDI, TMS, TDO, TCK and TRST on future revisions. The current die
revision allows these pins to be left unconnected, tied LOW (V SS ), or tied HIGH (V DD ).
8
6.42
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PDF描述
HHR-250SCHL3X2 BATTERY PACK 7.2V 2500MAH NIMH
EMC07DREH-S13 CONN EDGECARD 14POS .100 EXTEND
IDT71V65703S75PF IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP
MAX131CPL+3 IC ADC 3 1/2 DIGIT W/REF 40-DIP
GRM0335C1E100JD01D CAP CER 10PF 25V 5% NP0 0201
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71V65703S75PFG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(单线) 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR)
IDT71V65703S75PFG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT71V65703S75PFGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V65703S75PFGI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V65703S80BG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI