参数资料
型号: IDT71V65703S75PF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 10/26页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP
标准包装: 72
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步 ZBT
存储容量: 9M(256K x 36)
速度: 75ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 71V65703S75PF
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Linear Burst Sequence Table ( LBO =V SS )
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
Second Address
Third Address
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
0
1
0
1
Fourth Address
(1)
1
1
0
0
0
1
1
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
Functional Timing Diagram (1)
5298 tbl 11
CYCLE
n+29
n+30
n+31
n+32
n+33
n+34
n+35
n+36
n+37
CLOCK
ADDRESS
(2)
A29
A30
A31
A32
A33
A34
A35
A36
A37
(A 0 - A 17 )
CONTROL
(2)
C29
C30
C31
C32
C33
C34
C35
C36
C37
(R/ W , ADV/ LD , BW x)
DATA
(2)
D/Q28
D/Q29
D/Q30
D/Q31
D/Q32
D/Q33
D/Q34
D/Q35
D/Q36
I/O [0:31], I/O P[1:4]
NOTES:
5298 drw 03
,
1. This assumes CEN , CE 1 , CE 2 and CE 2 are all true.
2. All Address, Control and Data_In are only required to meet set-up and hold time with respect to the rising edge of clock. Data_Out is valid after a clock-to-data
delay from the rising edge of clock.
10
6.42
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IDT71V65703S75PFG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
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