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参数资料
| 型号： | IDT71V65703S75PFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 75ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65703S75PFG8 |
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Linear Burst Sequence Table ( LBO =V SS )
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
Second Address
Third Address
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
0
1
0
1
Fourth Address
(1)
1
1
0
0
0
1
1
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
Functional Timing Diagram (1)
5298 tbl 11
CYCLE
n+29
n+30
n+31
n+32
n+33
n+34
n+35
n+36
n+37
CLOCK
ADDRESS
(2)
A29
A30
A31
A32
A33
A34
A35
A36
A37
(A 0 - A 17 )
CONTROL
(2)
C29
C30
C31
C32
C33
C34
C35
C36
C37
(R/ W , ADV/ LD , BW x)
DATA
(2)
D/Q28
D/Q29
D/Q30
D/Q31
D/Q32
D/Q33
D/Q34
D/Q35
D/Q36
I/O [0:31], I/O P[1:4]
NOTES:
5298 drw 03
,
1. This assumes CEN , CE 1 , CE 2 and CE 2 are all true.
2. All Address, Control and Data_In are only required to meet set-up and hold time with respect to the rising edge of clock. Data_Out is valid after a clock-to-data
delay from the rising edge of clock.
10
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V65603S100PFG8 | IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP |
| IDT71V67703S75PFG8 | IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V65703S75PFGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65703S75PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65703S80BG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65703S80BG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65703S80BGG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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