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参数资料
| 型号： | IDT71V65703S80BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65703S80BG8 |
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration ? 256K x 36, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
(3)
NC
I/O P3
I/O 17
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V SS (1)
I/O 25
I/O 27
I/O 29
I/O 31
A 7
A 6
NC
I/O 16
I/O 18
I/O 20
I/O 22
V DD (2)
I/O 24
I/O 26
I/O 28
I/O 30
CE 1
CE 2
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 3
BW 4
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
BW 2
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CE 2
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CEN
R/ W
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADV /LD
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
A 17
NC (3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
I/O 15
I/O 13
I/O 11
I/O 9
NC
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
NC
NC (3)
I/O P2
I/O 14
I/O 12
I/O 10
I/O 8
ZZ
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
DNU
N
I/O P4
NC
V DDQ
V SS
(4)
NC
V SS
(1)
V SS
V DDQ
NC
I/O P1
NC
DNU
DNU
P
R
NC
LBO
NC (3)
(3)
A 5
A 4
A 2
A 3
DNU (4)
(4)
A 1
A 0
DNU (4)
(4)
A 10
A 11
A 13
A 12
A 14
A 15
NC
A 16
5298 tbl 25a
Pin Configuration ? 512K x 18, 165 fBGA
1
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3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
B
C
D
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M
NC (3)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V SS (1)
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
A 7
A 6
NC
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
V DD (2)
NC
NC
NC
NC
CE 1
CE 2
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 2
NC
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
NC
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CE 2
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CEN
R/ W
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADV /LD
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
A 18
NC (3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
NC
NC
NC
NC
NC
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
A 10
NC (3)
I/O P1
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
ZZ
NC
NC
NC
NC
DNU
N
I/O P2
NC
V DDQ
V SS
(4)
NC
V SS
(1)
V SS
V DDQ
NC
NC
NC
DNU
DNU
P
R
NC
LBO
NC (3)
(3)
A 5
A 4
A 2
A 3
DNU (4)
(4)
A 1
A 0
DNU (4)
(4)
A 11
A 12
A 14
A 13
A 15
A 16
NC
A 17
NOTES:
5298 tbl25b
1. Pins H1 and N7 do not have to be connected directly to V SS as long as the input voltage is < V IL .
2. Pin H2 does not have to be connected directly to V DD as long as the input voltage is > V IH .
3. Pin B9, B11, A1, R2 and P2 are reserved for a future 18M, 36M, 72M, 144M and 288M respectively.
4. DNU = Do not use. Pins P5, R5, P7, R7 and N5 are reserved for respective JTAG pins: TDI, TMS, TDO, TCK and TRST on future revisions. The current die
revision allows these pins to be left unconnected, tied LOW (V SS ), or tied HIGH (V DD ).
8
6.42
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| IDT71V65703S80BQ8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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