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参数资料
| 型号： | IDT71V65703S80BG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA |
| 标准包装： | 84 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V65703S80BG |
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Grade
Commercial
Industrial
Temperature (1)
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
V SS
0V
0V
V DD
3.3V±5%
3.3V±5%
V DDQ
3.3V±5%
3.3V±5%
NOTES:
5298 tbl 05
1. T A is the “instant on” case temperature.
Pin Configuration ? 256K x 36
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
I/O P3
I/O 16
I/O 17
V DDQ
V SS
I/O 18
I/O 19
I/O 20
I/O 21
V SS
V DDQ
I/O 22
I/O 23
V SS (1)
V DD
V DD (2)
V SS
I/O 24
I/O 25
V DDQ
V SS
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 29
V SS
V DDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
I/O P2
I/O 15
I/O 14
V DDQ
V SS
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 10
V SS
V DDQ
I/O 9
I/O 8
V SS
V SS (1)
V DD
ZZ
I/O 7
I/O 6
V DDQ
V SS
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
V SS
V DDQ
I/O 30
I/O 31
I/O P4
28
29
30
53
52
51
I/O 1
I/O 0
I/O P1
,
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
5298 drw 02
Top View
100 TQFP
NOTES:
1. Pins 14 and 66 do not have to be connected directly to V SS as long as the input voltage is ≤ V IL .
2. Pin 16 does not have to be connected directly to V DD as long as the input voltage is > V IH .
3. Pins 84 is reserved for a future 16M.
4. DNU = Do not use. Pins 38, 39, 42 and 43 are reserved for respective JTAG pins TMS, TDI, TDO and TCK. The
current die revision allows these pins to be left unconnected, tied LOW (V SS ), or tied HIGH (V DD ).
5
6.42
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