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参数资料
| 型号： | IDT71V65803S100BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65803S100BG8 |
IDT71V65603, IDT71V65803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration - 512K x 18
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol
Rating
Commercial &
Industrial
Unit
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
V TERM (2)
Terminal Voltage with
-0.5 to +4.6
V
NC
1
80
A 10
Respect to GND
NC
NC
V DDQ
2
3
4
79
78
77
NC
NC
V DDQ
V TERM (3,6)
Terminal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V DD
V
V SS
5
76
V SS
NC
NC
I/O 8
I/O 9
V SS
V DDQ
I/O 10
6
7
8
9
10
11
12
75
74
73
72
71
70
69
NC
I/O P1
I/O 7
I/O 6
V SS
V DDQ
I/O 5
V TERM (4,6)
V TERM (5,6)
Terminal Voltage with
Respect to GND
Terminal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V DD +0.5
-0.5 to V DDQ +0.5
V
V
I/O 11
V DD (1)
V DD
V DD (1)
V SS
I/O 12
I/O 13
V DDQ
13
14
15
16
17
18
19
20
68
67
66
65
64
63
62
61
I/O 4
V SS
V DD (1)
V DD
ZZ
I/O 3
I/O 2
V DDQ
T A
(7)
Commercial
Operating Temperature
Industrial
Operating Temperature
-0 to +70
-40 to +85
o
o
C
C
V SS
I/O 14
21
22
60
59
V SS
I/O 1
T BIAS
Temperature
-55 to +125
o
C
I/O 15
I/O P2
23
24
58
57
I/O 0
NC
Under Bias
NC
V SS
V DDQ
NC
25
26
27
28
56
55
54
53
NC
V SS
V DDQ
NC
T STG
Storage
Temperature
-55 to +125
o
C
NC
NC
29
30
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
52
51
NC
NC
5304 drw 02a
,
P T
I OUT
Power Dissipation
DC Output Current
2.0
50
W
mA
NOTES:
5304 tbl 06
Top View
100 TQFP
NOTES:
1. Pins 14, 16 and 66 do not have to be connected directly to V DD as long as
the input voltage is ≥ V IH .
2. Pin 84 is reserved for a future 16M.
3. DNU=Do not use. Pins 38, 39, 42 and 43 are reserved for respective
JTAG pins: TMS, TDI, TDO and TCK. The current die revision allows
these pins to be left unconnected, tied LOW (V SS ), or tied HIGH (V DD ).
100 TQFP Capacitance (1)
(T A = +25° C, f = 1.0MHz)
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V DD terminals only.
3. V DDQ terminals only.
4. Input terminals only.
5. I/O terminals only.
6. This is a steady-state DC parameter that applies after the power supply has
reached its nominal operating value. Power sequencing is not necessary;
however, the voltage on any input or I/O pin cannot exceed V DDQ during power
supply ramp up.
7. During production testing, the case temperature equals T A .
165 fBGA Capacitance (1)
(T A = +25° C, f = 1.0MHz)
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
5
7
Unit
pF
pF
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
TBD
TBD
Unit
pF
pF
119 BGA Capacitance
(T A = +25° C, f = 1.0MHz)
(1)
5304 tbl 07
5304 tbl 07b
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
7
7
Unit
pF
pF
5304 tbl 07a
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
6.42
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